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三星电子21日宣布，以12纳米级工艺开发出16Gb DDR5 DRAM，并于近期完成了与AMD的兼容性验证。
三星电子通过应用具有高介电常数 (K) 的新材料增加了存储电荷的电容器的容量，并通过创新设计完成了业界最先进的工艺以改善电路特性。
此外，采用多层EUV（极紫外光）曝光技术，实现了业界最高水平的集成度。与上一代产品相比，12nm 级 DRAM 的生产率提高了约 20%。DDR5标准的这款产品最高支持7.2Gbps的运行速度。这是一个可以在一秒钟内处理两部 30GB 超高清电影的速度。功耗较上一代提升约23%。
三星电子计划通过提高性能和能效来扩展其 12 纳米级 DRAM 产品线，并计划将其供应给数据中心、人工智能和下一代计算等各种应用。
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